NanoMES

 

 

 


빛의 간섭의 원리에 기초한 측정기기인 NanoMES는 반도체 웨이퍼 또는 초정밀기기 부품의 플라즈마 및 에칭 공정 중  코팅의 높이, 에칭의  정확한 깊이를 결정하고 조정하는 역할을 수행한다.

이때 측정되는 구조물의 크기는 나노미터에서 마이크로미터에 이르기까지 측정이 가능하며 측정은 공정 중 실시간으로 진행된다.

본 장비는 보다 넓은 영역의 측정이 가능하며 데이터를 획득하는데 소요되는 시간이 극히 짧기에 기계적인 진동에 영향을 거의 받지 않는다.



1. Applications

    마이크로 및 광전자 구조의 플라즈마 공정 또는 식각 공정 중 에
    칭 깊이나 공정률에 대한 실시간 및 실 상황에의 측정제공 MEM
    S/MOEMS 구조의 식각 공정의 실시간/실상황 모니터링마이크로
    전자 및 마이크로 시스템 기술에 있어서의 3차원 표면구조측정
    제조 공정의 생산라인 및 연구개발용으로 사용 

 

 

 

 

 

 

 


        



       
2. Features                                                      

        Measuring field: 1.5 x 1.1 mm
        Data acquisition time: 50 µsec
        Measuring points: 640 x 480
        Insensible for mechanical vibrations
        Real-time and in-process measurement of etching depth or, respectively, 3D structure
        Possibility of application at large working distances (up to 400 mm)
        Measuring range upward nearly unlimited
        Area evaluation algorithm
        Qualified for the use in the production line and/ or on the etching chamber

 

 


       



    
 3. Benefits                                                       

       실시간 자동측정으로 에칭 공정에서의 지속적인 관리가 가능
       간섭계의 작용방식에 의해 진동의 영향 없이 나노미터 레인지의 3차원 측정가능  
       고해상도 (> 3 nm), 초정밀도 및 측정의 일관성 제공
       재질에 관계없이 에칭 깊이의 직접적인 측정이 가능

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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